型号	振荡	FLASH ROM	E2PROM	RAM	电压	中断	I/O	定时器	A/D	比较器	封装
16F83	DC～20M	1K×14	64	36	2.0V- 6.0V	4	13	1+WDT	-	-	18P，18SO，20SS
16F84（A）	DC～20M	1K×14	64	68	2.0V- 6.0V	4	13	1+WDT	-	-	18P，18SO，20SS

型号管脚图如下：

PIC16F83/84

主要功能特点

一、高性能RISC结构CPU

·精简指令集，仅35条单字指令。

·除地址分支指令外，其余全为单周期指令。

·执行速度:DC-200ns。

·14位FLASE型程序存储器，电可重擦写。

·带8位EEPROM型数据寄存器。擦写次数达100万次，数据保存时间大于40年。

·八级硬件堆栈。

·多种硬件中断。

·直接/间接/相对三种寻址方式。

二、功能部件特性

·高驱动电流I/O脚，可直接驱动LED显示。

每根I/O引脚最大拉电流20mA

每根I/O引脚最大灌电流25mA

·双向可独立编程设置I/O引脚

·8位定时器/计数器TMR0，可带8位预分频器。

三、微制器特性

·上电复位

·上电延时器保障VDD稳定建立。

·振荡定时器保障振荡稳定建立。

·自振式看门狗。

·程序保密位。

·低功耗睡眠模式。

·在线串行编程。

·四种可选择振荡方式:

- 低成本阻容:RC

- 标准晶体/陶瓷:XT

- 高速晶体/陶瓷:HS

- 低频晶体:LP

四、CMOS工艺特性

·低功耗

- ＜2mA ＠5V，4MHz

- 60μA ＠2V，32KHz

- 26μA ＠2V，睡眠模式下

·全静态设计

·5V的编程电源

·宽工作电压

2.0V-6.0V

·宽工作温度范围:

- 商用级: 0℃～＋70℃

- 工业级:－40℃～＋85℃

- 汽车级:－40 ℃～＋125℃

PIC16F8X由于具有FLASH工艺特性(电可擦写)，所以它极适合于那些可能会经常改动程序编码的应用，例如用户可以随时改动已经出厂的产品中的单片机程序以增加或调整产品的功能。另外它内部的FLASH型数据存储器不仅有掉电保护数据的功能，更重要的是它是由单片机内部进行控制操作的，即外部电路无法对其进行读写，所以有极高的数据保密性，这使得PIC16F8X在加密性产品如智能IC卡，密码锁，电子防盗系统等方面有很广泛的应用。

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